مهندس , mohandes

مهندس

مهندس , mohandes

مهندس

297نــــفــــــر
عضو شده اند
297نفر عضو شده اند
با مهندس 360 یک گام از سایرین پیش باشید!با مهندس 360 یک گام از سایرین پیش باشید!مشاهده کامل مشخصات
21 آبان 1392
آموزش و تحصیل
سلام به همه بازدیدکنندگان محترم رسانه ی مهندس
مفتخریم که می توانیم در قالب یک کلوب خدمت نوینی را به شما دوستان ارائه دهیم. همانطور که از ظاهر کلوب مشاهد می کنید صفحه اصلی کلوب را مخصوص دریافت کتب و مقالات الکترونیکی در نظر گرفتیم. سیاست و روند کاری ما به نحوی خواهد بود که بتوانیم به کمک آن اکثر نیاز های شما عزیزان را در قالب یک کلوب رفع کنیم و به جای آنکه چند سایت را مطالعه کنید یک صفحه را باز کنید و تمام نیاز های آموزشی خود را توسط آن رفع کنید. همچنین با عضویت در این رسانه می توانید از به روز شدن سایت مه

اعضاء

  • مِـﮧــدﮮ اَفشآرزآده , pitpitak22
  • رضا رضا , reza2007pipe
  • بهار بهار , niny_im
  •   , art_gordafarid
  • 297 نفر

    morebox img

کلوبهای مشابه

  • آموزشکده فنی و حرفه ای سما - واحد همدان , hamedansama
  • دانشگاه علمی كاربردی استان چهارمحال و بختیاری , universityjamech
  • دانشجویان دانشگاه آزاد اشکذر , iauashkezar




  عناوین بحث ها پاسخها بروز رسانی
0
94/10/27 (22:03)
مهندس , mohandes
[https://www.aparat.com/v/AeQj4]
شبیه ساز ATLAS قابلیت مدلسازی محدوده وسیعی از مشخصات فیزیکی ادوات الکترونیکی را داراست. این کتاب یک آموزش جامع برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی است. آموزش های موجود در این کتاب با ورژنهان های جدید این نرم افزار نیز هماهنگ است. زیرا که در ورژن های جدید تنها کمی رابط کاربری تغییر کرده است ولی اصول برنامه نویسی آن همچنان بدون تغییر است.

برای خرید به سایت mohandes360.ir مراجعه کنید.

#atlas#silvaco#silvaco_atlas#سیلواکو#آموزش_سیلواکو#آموزش_نرم_افزار_سیلواکو#آموزش_نرم_افزار_Silvaco
ادامه
99
1
10
    ماری عظیمی , maryejoon
    دوشنبه 7 خرداد ، 03:01
    همونه؟
    ادامه
    مهندس , mohandes
    طرح لایه باز بسیار زیبای کارت ویزیت برای طراحان و کاربران گرامی قرار داده شده است. این کارت ویزیت با طراحی شیک و به صورت پشت و رو و دارای فرمت PSD می باشد.

    برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.
    ادامه
      مهندس , mohandes
      This paper gives an overview of solar cells and multijunction solar cells. The first part of the document describes the basic physics and design of single junction solar cells. It also highlights the history of solar cells and the advantages of solar technology. The second part of this paper discusses the physics, design, and fabrication process of multijunction solar cells. This section also describes concentrators and some potential problems with multijunction solar cells. The final part of the paper discusses practical uses of multijunction solar cells and its prospects for future design advancement. The section talks about where multijunction solar cells are currently found and some possible future advancements of the device.

      این مقاله یک مرور کلی از سلول های خورشیدی و سلول های خورشیدی چند پیوندی را بیان می کند. بخش اول این نوشتار فیزیک پایه و طراحی سلول های خورشیدی تک پیوندی را توصیف می کند. همچنین تاریخچه سلول های خورشیدی و مزایای استفاده از فناوری خورشیدی شرح داده می شوند. بخش دوم این مقاله فیزیک، طراحی و فرایند ساخت سلول های خورشیدی مولتی جانکشن را تشریح می کند. در این بخش روی توضیحات تمرکز شده و برخی از مشکلات بالقوه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن توصیف می شوند. در بخش پایانی مقاله استفاده عملی از سلول های خورشیدی مولتی جانکشن و چشم انداز آن برای پیشرفت طراحی های آینده بحث می شود. در این بخش در مورد اینکه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن که در حال حاضر وجود دارند و پیشرفت های ممکن آینده آنها بحث می شود.
      ادامه
        مهندس , mohandes
        شرکت سیلواکو (Silvaco) متعلق به بخش خصوصی، ارائه دهنده نرم‌افزار اتوماسیون طراحی الکترونیکی و نرم‌افزار شبیه‌سازی ادوات است.
        سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی ها مانند ماسفت ها، ترانزیستور های دو قطبی،دیودها و… می باشد. جوابهای بدست آمده توسط این نرم افزار در مقالات معتبر بسیاری بکار برده شده و می توان گفت در زمینه حل معادلات نیمه هادی ها بی رقیب است.

        این نرم افزار به مهندسین این امکان را می دهد تا مراحل ساخت قطعات الکترونیکی و همچنین رفتار الکتریکی، نوری، گرمایی قطعات نیمه هادی را شبیه سازی کنند. قابلیت شبیه سازی رفتارهای مختلف پایا، دینامیک زمانی را در دو و سه بعد دارد. همچنین قابلیت شبیه سازی ساختار قطعات الکترونیکی قبل از ساخت آنها در کارخانه را نیز شامل می شود. با شبیه سازی در سطح فیزیک، رفتار الکتریکی افزاره های نیمه هادی را پیش بینی می کند. به عنوان مثال فرایندهای اکسیداسیون، نفوذ، لایه برداری، لایه نشانی و … با استفاده از این نرم افزار شبیه سازی می شود.

        در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers ارائه شده است. یک فایل راهنمای ساده نیز جهت اجرای کدها ارائه شده است. همچنین جهت مقایسه نمودار ها و جداول، فایلی جهت اینکار پیوست شده که مقادیر و نمودارهای مندرج در مقاله را با مقادیر و نمودارهای شبیه سازی شده مقایسه می نماید.

        کلیه تصاویر و نمودارهای بدست آمده را می توانید با مراجعه به این لینک مشاهده نمایید.
        http://s9.picofile.com/file/8318637642/240.pdf.html

        برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
        ادامه
        7
          مهندس , mohandes
          A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

          یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفی

          In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

          در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.

          تعداد صفحات: 12

          برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.
          ادامه
          17